TFT液晶显示屏制程工艺有以下几局部：在 TFT 基板上构成 TFT 阵列；在彩色滤光片基板上构成彩色滤光图案及 ITO 导电层；用两块基板构成液晶盒；装置外围电路、组装背光源等的模块组装。
1. 在TFT基板上构成TFT 阵列的工艺
现已完成产业化的 TFT 类型包括：非晶硅 TFT （ a-Si TFT ）、多晶硅 TFT （ p-Si TFT ）、单晶硅 TFT(c-Si TFT) 几种。目前运用多的仍是 a-Si TFT 。
a-Si TFT 的制造工艺是先在硼硅玻璃基板上溅射栅极资料膜，经掩膜曝光、显影、干法蚀刻后构成栅极布线图案。普通掩膜曝光用步进曝光机。第二步是用 PECVD 法停止连续成膜，构成 SiNx 膜、非掺杂 a-Si 膜，掺磷 n+a-Si 膜。然后再停止掩膜曝光及干法蚀刻构成 TFT 局部的 a-Si 图案。第三步是用溅射成膜法构成透明电极（ ITO 膜），再经掩膜曝光及湿法蚀刻构成显现电极图案。第四步栅极端部绝缘膜的接触孔图案构成则是运用掩膜曝光及干法蚀刻法。第五步是将 AL 等停止溅射成膜，用掩膜曝光、蚀刻构成 TFT 的源极、漏极以及信号线图案。用 PECVD 法构成维护绝缘膜，再用掩膜曝光及干法蚀刻停止绝缘膜的蚀刻成形， ( 该维护膜用于对栅极以及信号线电极端部和显现电极的维护 ) 。至此，整个工艺流程完成。
TFT 阵列工艺是 TFT-LCD 制造工艺的关键 , 也是设备投资的局部。整个工艺请求在很高的净化条件（例如 10 级）下停止。
2. 在彩色滤光片（ CF ）基板上构成彩色滤光图案的工艺
彩色滤光片着色局部的构成办法有染料法、颜料分散法、印刷法、电解堆积法、喷墨法。目前以颜料分散法为主。
颜料分散法的第一步是将颗粒平均的微细颜料（均匀粒径小于 0.1 μ m ） (R 、 G 、 B 三色 ) 分散在透明感光树脂中。然后将它们依次用涂敷、曝光、显影工艺办法，依次构成 R. G. B 三色图案。在制造中运用光蚀刻技术，所用安装主要是涂敷、曝光、显影安装。
为了避免漏光，在 RGB 三色接壤处普通都要加黑矩阵（ BM ）。以往多用溅射法构成单层金属铬膜，如今也有改用金属铬和氧化铬复合型的 BM 膜或树脂混合碳的树脂型 BM 。
此外，还需求在 BM 上制做一层维护膜及构成 IT0 电极 , 由于带有彩色滤光片的基板是作为液晶屏的前基板与带有 TFT 的后基板一同构成液晶盒。所以必需关注好定位问题，使彩色滤光片的各单元与 TFT 基板各像素相对应。
3. 液晶盒的制备工艺
首先是在上下基板外表分别涂敷聚酰亚胺膜并经过摩擦工艺，构成可诱导分子按请求排列的取向膜。之后在 TFT 阵列基板周边布好密封胶资料，并在基板上喷洒衬垫。同时在 CF 基板的透明电极末端涂布银浆。然后将两块基板对位粘接，使 CF 图案与 TFT 像素图案逐个对正，再经热处置使密封资料固化。在印刷密封资料时，需留下注入口，以便抽真空灌注液晶。
近年来 , 随着技术进步和基板尺寸的不时加大 , 在盒的制做工艺上也有很大的改良 , 比拟有代表性的是灌晶方式的改动 , 从原来的成盒后灌注改为 ODF 法 , 即灌晶与成盒jbo竞博停止。另外 . 垫衬方式也不再采用传统的喷洒法 , 而是直接在阵列上用光刻法制造。
4. 外围电路、组装背光源等的模块组装工艺
在液晶盒制造工艺完成后，在面板上需求装置外围驱动电路，再在两块基板外表贴上偏振片。假如是透射型 LCD. 还要装置背光源。
资料和工艺是影响产品性能的两个主要要素，TFT-LCD 经过上面四道主要制程，大量冗杂的制造工艺才构成我们所看到的产品。
